金屬薄膜方塊電阻測試儀

【資料簡介】

KDB-2B為四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻，該方法操作簡單，測量。
儀器特點如下：
1、配有雙數字表：一塊數字表在測量顯示硅片電阻率的同時，另一塊數字表（以萬分之幾的精度）適時監測全過程中的電流變化，使操作更簡便，測量更。
數字電壓表量程：0—19.999mV 靈敏度：1μV 輸入阻抗：1000ΜΩ
基本誤差±(0.04-0.05%讀數+0.01%滿度) ；
2、方塊電阻測量范圍：1×10-5～1.9Ω/□；
3、電流量程分兩檔：100mA和1000mA。