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河南軒豪凈水材料有限公司
PH值 | 6-8 | CAS | 37971-36-1 |
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比重 | 1.05-1.25 | 存儲期限 | 1-2年 |
含量 | 30-60% | 凝固點 | 3℃ |
有效物質含量 | 30-80% | 最低存放溫度 | -12℃ |
反滲透阻垢劑是專門用于反滲透(RO)系統及納濾(NF)和超濾(UF)系統的阻垢劑,可防止膜面結垢,能提高產水量和產水質量,降低運行費用。阻垢劑不僅能能阻止難溶鹽結晶、結垢、沉淀形成,還能分散難溶鹽、金屬氧化物、氫氧化物、硅酸聚合物、膠體物質、生物污染物的化學物質。大多數阻垢劑是一些專用有機合成聚合物
反滲透阻垢劑是專門用于反滲透(RO)系統及納濾(NF)和超濾(UF)系統的阻垢劑,可防止膜面結垢,能提高產水量和產水質量,降低運行費用。阻垢劑不僅能能阻止難溶鹽結晶、結垢、沉淀形成,還能分散難溶鹽、金屬氧化物、氫氧化物、硅酸聚合物、膠體物質、生物污染物的化學物質。大多數阻垢劑是一些專用有機合成聚合物
1、鰲合增溶作用
螯合增溶作用是指阻垢劑與水中Ca2+、Mg2+、Sr2+、Ba2+等高價金屬離子絡合成穩定的水溶性螯合物,使水中游離態鈣、鎂離子的濃度相應降低,這樣就好像使CaCO3等物質的溶解度增大了,本來會析出溶液的CaCO3等物質實際上沒有形成沉淀。
閾限效應阻垢是指只需向溶液中加入少量的阻垢劑,就能穩定溶液中大量的結垢離子,它們之間不存在嚴格的化學計量關系,當阻垢劑的量增至過大時,其穩定阻垢作用并無明顯改進。
2、晶格畸變作用
晶體正常形成的過程是微粒子(離子、原子或分子)根據特定的晶格方式進行十分有規則的排列,從而形成外形規則、熔點固定、致密堅固的物質結構。所謂晶體畸變是指在晶體生長的過程中,常常會由于晶體外界的一些原因,而使得晶體存在空位、錯位等缺陷或形成鑲嵌構造等畸變,其結果使同一晶體的各個晶面發育不等。晶體中這種局部組分的差異會導致晶體內部的應力,晶體本身與鑲嵌物質脫脹系數的不同也會導致應力。這些應力使晶體不穩定。當環境發生某些變化時,大晶體便會碎裂成小晶體。
阻垢劑分子由于吸附在位于晶體活性生長點的晶格點陣上,使晶體不能按照晶格排列正常生長,使晶體發生畸變,使晶體的內部應力增大導致晶體破裂,從而防止微晶沉積成垢,達到阻垢目的。
3、吸附與分散作用
阻垢分散劑屬于陰離子有機化合物,可因物理化學吸附作用而吸附于膠體顆粒及微晶粒子上,在顆粒表面形成新的雙電層,改變顆粒表面原來的電荷狀況。于是,因同性電荷相排斥而使它們穩定地分散在水體中。
阻垢劑的合理添加阻止了反滲透RO系統中進水和濃水的難溶鹽結垢生長,提高了系統的極限回收率上限,降低了系統穩定運行結垢風險。
阻垢劑/分散劑注入系統的設計應該保證在進入RO系統之前得到充分混合。大多數系統的加藥點設在RO進水保安過濾器之前,通過在過濾器中的緩沖時間及RO高壓泵的攪拌作用來促進混合。如果系統采用加酸調節pH,推薦加酸點要在上游足夠遠的地方,在到達阻垢劑/分散劑注入點之前已經混合均勻。
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