低真空超高分辨場發射掃描電子顯微鏡/超大面積硅漂移探測器能譜

性能指標

1. 電鏡分辨率：
2. 高真空模式：1.0nm @ 15kV；1.6nm @ 1kV；
3. 低真空模式：1.5nm @ 10kV；1.8nm @ 3kV；
4. 電鏡加速電壓：200V～30kV，連續可調，電鏡著陸電壓：50V～30kV，束流大小：0.6pA～100nA；
5. 電鏡物鏡模式：磁浸入模式UHR、無磁場模式HR；
6. 檢測器：高真空二次電子檢測器(ETD)、極靴內二次電子檢測器(TLD)、極靴內背散射電子檢測器(TLD-B)、低真空二次電子檢測器(LVD)、低真空超高分辨二次電子探測器(Helix)、低電壓高襯度背散射電子檢測器(vCD)、樣品室紅外CCD探測器；
7. EDS分析分辨率：125eV(Mn Kα)，EDS元素檢測范圍：Be4-Pu94；
8. EBSD分析：花樣平均角度偏差MAD≤0.5，在線標定解析速度：640點/秒(8×8 binning) 

主要應用

1. 具有一代高穩定性、大束流肖特基電子槍，適用于樣品的在各種條件下的分析。
2. 的電子光學系統和檢測性能，包括：磁浸入模式、電子束減速模式、極靴內探測SE/BSE、vCD，能對信息作選擇和圖像的化。
3. 優異的低加速電壓性能，可以獲得更表面的形貌信息，并減小電子束對樣品損傷。
4. 優異的低真空性能，可以對不導電樣品在不鍍膜的條件下直接進行高分辨觀察。 超潔凈的機械泵和渦輪分子泵真空系統。
5. AZtec系統利用*的Tru-l算法進行衍射帶識別和標定，利用更準確的Tru-Q修正算法進行EDS數據處理，將EDS和EBSD*集成與一體，可以對材料的微觀組織進行形貌觀察、元素組成及分布、結構和取向等的表征完整，對未知相進行更準確的鑒定和分析。
6. 可制作3D圖像和進行偽色處理。

樣品要求

1. 不含有Fe、Co、Ni，無磁性且不會被磁化(EBSD樣品除外)；
2. 樣品高度小于15mm，直徑小于30mm；
3. 固體干燥樣品；
4. 微生物類樣品（如孢子等）請先提供相關文獻，確保無傳染性，否則不予測試。 

儀器說明

1.  Nova NanoSEM 230掃描電鏡配合超大面積SDD能譜儀和快速型電子背散射衍射EBSD，可應用于各種挑戰性的材料的形貌觀察、元素組成和分布測試、結構和取向分析。
2. 如金屬、納米顆粒和粉體、納米管和納米線等各種納米材料、多孔物質(如硅、羥基磷灰石)、 塑料電子器件、玻璃基體材料、有機材料、高分子物質、金剛石薄膜、半導體截面、晶體材料、生物樣品、各類薄膜材料和截面等。